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中芯国际取得光电传感器及其形成方法专利

发布日期:2026-07-23 19:11    点击次数:121

国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司取得一项名为“光电传感器及其形成方法、以及电子设备”的专利,授权公告号CN115700929B,申请日期为2021年7月。

天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,成立于2002年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目49次,专利信息8195条,此外企业还拥有行政许可231个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目120次,财产线索方面有商标信息226条,专利信息15019条,此外企业还拥有行政许可480个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

本文源自:市场资讯